ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.92 | Dhs. 8.92 |
| 15+ | Dhs. 8.65 | Dhs. 129.75 |
| 25+ | Dhs. 8.46 | Dhs. 211.50 |
| 50+ | Dhs. 7.99 | Dhs. 399.50 |
| 100+ | Dhs. 7.05 | Dhs. 705.00 |
| N+ | Dhs. 1.41 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160F-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit IS43R16160F-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant mémoire haute fiabilité de 256 Mbit, conçu pour les applications embarquées critiques. Doté d'une architecture 16M x 16 avec interface parallèle, il fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent une récupération rapide des données pour les applications exigeantes.
- Large plage de fonctionnement : Température de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C), adaptée aux systèmes automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique.
- Conditionnement fiable : boîtier CMS 66-TSOP II en format bande et bobine pour assemblage automatisé
- Technologie DDR : La mémoire SDRAM à double débit de données offre une bande passante supérieure à celle de la mémoire SDRAM standard.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour :
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Plateformes informatiques embarquées hautes performances
Qualité et conformité
Le modèle IS43R16160F-6TLI-TR est conforme à la norme RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et des réglementations en vigueur sur les marchés internationaux. Les processus de contrôle qualité rigoureux d'ISSI assurent une fiabilité à long terme et des performances constantes tout au long du cycle de vie du produit.
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