ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.60 | Dhs. 16.60 |
| 15+ | Dhs. 16.06 | Dhs. 240.90 |
| 25+ | Dhs. 15.71 | Dhs. 392.75 |
| 50+ | Dhs. 14.84 | Dhs. 742.00 |
| 100+ | Dhs. 13.10 | Dhs. 1,310.00 |
| N+ | Dhs. 2.62 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16320D-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré IS43R16320D-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits fiable, conçue pour les applications exigeant des solutions de mémoire volatile rapides et performantes. Avec une organisation mémoire de 32 Mbits x 16 et une fréquence d'horloge de 166 MHz, ce composant offre d'excellentes performances pour les systèmes embarqués, les télécommunications, l'automatisation industrielle et d'autres applications exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 700 ps et un temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 512 Mbits organisée en 32 Mbits x 16 pour une intégration système flexible
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Conception pour montage en surface : boîtier 66-TSOP II pour un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
- Conditionnement pratique : Disponible en bande et bobine pour la production en grande série
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour :
- Systèmes informatiques embarqués
- Équipement de télécommunications
- Contrôle et automatisation industriels
- Dispositifs de mise en réseau et de communication de données
- Instrumentation médicale
- électronique automobile
Qualité et fiabilité
En tant que distributeur agréé de composants ISSI, nous fournissons des pièces d'origine avec une traçabilité complète et un support fabricant. Chaque composant répond à des normes de qualité rigoureuses et bénéficie d'une documentation technique exhaustive et d'un support tout au long de son cycle de vie.
Référence : IS43R16320D-6TL-TR
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Conditionnement : 66-TSOP II, bande et bobine
IS43R16320D-6TL-TR.pdf