ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.24 | Dhs. 11.24 |
| 15+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 163.35 |
| 25+ | Dhs. 10.66 | Dhs. 266.50 |
| 50+ | Dhs. 10.06 | Dhs. 503.00 |
| 100+ | Dhs. 8.88 | Dhs. 888.00 |
| N+ | Dhs. 1.78 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | En vrac | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | SSTL_2 |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16320F-5TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit IS43R16320F-5TL , haute fiabilité, est fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette solution de mémoire avancée offre des performances exceptionnelles pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Mbits – Organisée en 32 Mo x 16 pour un débit de données optimal
- Fréquence d'horloge de 200 MHz - Fonctionnement à haute vitesse avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps
- Technologie DDR SDRAM - Mémoire vive dynamique synchrone à double débit de données pour une bande passante améliorée
- Interface SSTL_2 - Interface mémoire standard pour une communication fiable
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une intégration système flexible.
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de 0°C à 70°C (TA)
- Boîtier CMS - 66-TSOP II (66-TSSOP 0,400", largeur 10,16 mm) pour une conception de circuit imprimé compacte
- Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement et sans plomb
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux nécessitant une mémoire de haute fiabilité
- Plateformes informatiques embarquées et dispositifs périphériques IoT
- Systèmes d'acquisition de données et de traitement du signal
Spécifications techniques
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader mondialement reconnu dans le domaine des solutions de mémoire et de semi-conducteurs analogiques hautes performances et haute fiabilité. Forte de plusieurs décennies d'excellence en ingénierie, ISSI fournit des circuits intégrés de mémoire répondant aux exigences rigoureuses des applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire et de solutions de stockage pour vos besoins en semi-conducteurs. Visitez notre page d'accueil pour découvrir des milliers de composants semi-conducteurs de haute qualité. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits sur notre blog Actualités .
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'experts pour une assistance personnalisée concernant vos besoins en circuits intégrés de mémoire.
IS43R16320F-5TL.pdf