ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.34 | Dhs. 10.34 |
| 15+ | Dhs. 10.03 | Dhs. 150.45 |
| 25+ | Dhs. 9.81 | Dhs. 245.25 |
| 50+ | Dhs. 9.27 | Dhs. 463.50 |
| 100+ | Dhs. 8.18 | Dhs. 818.00 |
| N+ | Dhs. 1.64 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | SSTL_2 |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |
IS43R16320F-5TL-TR - Solution de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit IS43R16320F-5TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un composant haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation mémoire de 32 Mbits x 16.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en temps réel.
- Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures de 0 °C à 70 °C avec une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V, idéal pour les environnements industriels.
- Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire SSTL_2 assure la compatibilité avec les contrôleurs et architectures système DDR SDRAM standard.
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur la carte dans les circuits intégrés compacts.
- Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR facilite les processus d'assemblage automatisés pour la fabrication en grande série.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est spécifiquement conçu pour :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Systèmes d'infodivertissement automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité
Spécifications techniques
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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications critiques. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions de stockage et de mémoire DRAM et Flash haute fiabilité, provenant des plus grands fabricants mondiaux.
Nous comprenons les exigences rigoureuses des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Chaque composant de notre catalogue fait l'objet de contrôles qualité stricts afin de garantir sa conformité aux normes de durabilité et de performance requises par vos projets.
Assistance technique et ressources
Besoin d'aide pour choisir la solution mémoire adaptée à votre application ? Notre équipe technique est là pour vous accompagner. Consultez notre blog Actualités et Techniques pour les dernières actualités du secteur des semi-conducteurs, les notes d'application et les recommandations de conception.
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