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Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 15.85 Dhs. 237.75
25+ Dhs. 15.51 Dhs. 387.75
50+ Dhs. 14.65 Dhs. 732.50
100+ Dhs. 12.92 Dhs. 1,292.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43R16320F-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le circuit intégré IS43R16320F-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire haute densité : une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 32 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances stables dans des environnements difficiles.
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 60-TFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour un fonctionnement écoénergétique

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un soutien à long terme
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Applications informatiques embarquées

Qualité et traçabilité

En tant que distributeur agréé, nous assurons la traçabilité complète et un support tout au long du cycle de vie de ce composant ISSI. Chaque unité est conditionnée en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés, garantissant ainsi une qualité et une fiabilité constantes pour vos besoins de production.