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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 16
Interface mémoire SSTL_2
Fréquence d'horloge 167 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43R16320F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le circuit intégré IS43R16320F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 167 MHz et son organisation mémoire de 32 Mbits x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 32 M x 16 offre une architecture mémoire flexible.
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire SSTL_2 pour une intégration transparente avec les systèmes existants
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Conception compacte : Boîtier de montage en surface 66-TSOP II (0,400", largeur de 10,16 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
  • Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques à haute fiabilité

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire haute performance et de semi-conducteurs analogiques. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans la conception de composants de mémoire fiables, ISSI propose des produits répondant aux exigences rigoureuses des applications critiques dans de nombreux secteurs d'activité.

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