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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 344,667.71 Dhs. 5,170,015.65
25+ Dhs. 337,174.94 Dhs. 8,429,373.50
50+ Dhs. 318,443.00 Dhs. 15,922,150.00
100+ Dhs. 280,979.12 Dhs. 28,097,912.00
N+ Dhs. 56,195.82 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43R16800E-5TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 128 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 128 Mbit IS43R16800E-5TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un produit haut de gamme conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation 8M x 16, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des applications embarquées critiques.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 700 ps garantit un traitement rapide des données et une réactivité en temps réel.
  • Alimentation fiable : fonctionne dans une plage de tension de 2,3 V à 2,7 V pour des performances stables et économes en énergie dans les applications sensibles à la consommation.
  • Plage de températures industrielles : Conçu pour un fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA), garantissant des performances fiables dans des environnements industriels exigeants.
  • Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 66-TSSOP II (66-TSSOP, largeur de 0,400 pouce) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales internationales pour un déploiement mondial et la conformité réglementaire.
  • Composants authentiques : Pièces ISSI 100 % authentiques avec traçabilité complète et garantie de qualité
  • Disponibilité tout au long du cycle de vie : Assistance dédiée pour les exigences de production à grande échelle et les cycles de vie étendus des produits

Applications idéales :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
  • instrumentation des dispositifs médicaux
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour les ingénieurs et les responsables des achats à la recherche de composants mémoire authentiques, à longue durée de vie et bénéficiant d'un support technique dédié. Que vous conceviez des contrôleurs industriels de nouvelle génération, des systèmes électroniques automobiles ou des systèmes embarqués, l'IS43R16800E-5TL offre les performances et la fiabilité requises par vos applications.

Spécifications techniques


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