ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,874.90 | Dhs. 355,874.90 |
| 15+ | Dhs. 344,636.75 | Dhs. 5,169,551.25 |
| 25+ | Dhs. 337,144.64 | Dhs. 8,428,616.00 |
| 50+ | Dhs. 318,414.39 | Dhs. 15,920,719.50 |
| 100+ | Dhs. 280,953.87 | Dhs. 28,095,387.00 |
| N+ | Dhs. 56,190.77 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16800E-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
La puce IS43R16800E-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 128 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant authentique offre des performances de mémoire volatile fiables grâce à son organisation 8M x 16, ce qui le rend idéal pour les équipementiers et les intégrateurs de systèmes qui recherchent une disponibilité à long terme et une qualité éprouvée.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire flexible : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 M x 16 pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions à faible consommation d’énergie
- Boîtier à montage en surface : format 66-TSOP II (66-TSSOP) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire parallèle rapide et fiable avec une disponibilité à long terme éprouvée.
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Ressources connexes
IS43R16800E-6TL.pdf