ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-5TL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.04 | Dhs. 10.04 |
| 15+ | Dhs. 9.72 | Dhs. 145.80 |
| 25+ | Dhs. 9.50 | Dhs. 237.50 |
| 50+ | Dhs. 8.98 | Dhs. 449.00 |
| 100+ | Dhs. 7.92 | Dhs. 792.00 |
| N+ | Dhs. 1.58 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R83200F-5TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits
La puce mémoire IS43R83200F-5TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 32M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire robustes.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C, convient aux environnements industriels difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique des systèmes embarqués.
- Boîtier compact 66-TSOP II : conception à montage en surface peu encombrante, idéale pour les circuits imprimés haute densité.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour :
- Systèmes aérospatiaux et avioniques
- Électronique automobile et infodivertissement
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité
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