ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.80 | Dhs. 8.80 |
| 15+ | Dhs. 8.51 | Dhs. 127.65 |
| 25+ | Dhs. 8.33 | Dhs. 208.25 |
| 50+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 393.00 |
| 100+ | Dhs. 6.94 | Dhs. 694.00 |
| N+ | Dhs. 1.39 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
ISSI IS43R83200F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbit
La puce IS43R83200F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications embarquées exigeantes et critiques. Ce composant DRAM volatil offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et une organisation mémoire de 32 Mbits x 8, ce qui le rend idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 32 M x 8 pour une gestion flexible des données
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels.
- Interface parallèle fiable : interface DRAM parallèle standard pour une intégration transparente dans les conceptions existantes
- Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 66-TSOP II (66-TSSOP) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et contrôleurs industriels
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Équipements de diagnostic médical et systèmes d'imagerie
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- avionique aérospatiale et systèmes critiques de mission
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité. L'entreprise fournit des composants de qualité industrielle, d'une qualité exceptionnelle et d'une longue durée de vie. Le circuit intégré IS43R83200F-6TL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la performance, la fiabilité et l'excellence technique pour les applications les plus exigeantes.
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