ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.19 | Dhs. 10.19 |
| 15+ | Dhs. 9.85 | Dhs. 147.75 |
| 25+ | Dhs. 9.64 | Dhs. 241.00 |
| 50+ | Dhs. 9.10 | Dhs. 455.00 |
| 100+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 803.00 |
| N+ | Dhs. 1.61 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Présentation du produit
Le circuit intégré IS43R83200F-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbits haute performance conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une durabilité exceptionnelles. Ce composant DRAM volatil dispose d'une architecture mémoire 32M x 8 avec interface parallèle, offrant des performances robustes dans les environnements industriels, automobiles, aérospatiaux, médicaux et de télécommunications les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz, un temps d'accès de 700 ps et un cycle d'écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des conditions environnementales difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique tout en maintenant les performances.
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II (largeur de 0,400") permet des agencements de circuits imprimés compacts.
- Conditionnement prêt pour la production : le format bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Plateformes ECU et ADAS automobiles
- Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables
- Équipements de diagnostic médical et systèmes d'imagerie
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Applications informatiques embarquées à haute fiabilité
Résumé des spécifications techniques
La mémoire IS43R83200F-6TLI-TR combine une capacité de stockage de 256 Mbits avec la technologie DDR SDRAM, offrant une bande passante et une efficacité supérieures à celles de la SDRAM conventionnelle. Son interface mémoire parallèle assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs, de FPGA et de processeurs, tandis que sa plage de températures de fonctionnement industrielles garantit des performances constantes même dans des conditions extrêmes.
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IS43R83200F-6TLI-TR.pdf