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15+ Dhs. 16.06 Dhs. 240.90
25+ Dhs. 15.71 Dhs. 392.75
50+ Dhs. 14.84 Dhs. 742.00
100+ Dhs. 13.10 Dhs. 1,310.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR IS43R86400D-6TL-TR

Solution de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit hautes performances d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçue pour un stockage de données fiable dans les applications industrielles et commerciales. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface présente une architecture 64 Mbits x 8, une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire : 512 Mbits DDR SDRAM
  • Haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 700 ps
  • Organisation efficace : interface parallèle 64M x 8
  • Boîtier compact : conception à montage en surface 66-TSOP II
  • Large plage de fonctionnement : plage de température de 0 °C à 70 °C
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et autres applications nécessitant un stockage de mémoire volatile fiable et rapide.

Spécifications techniques