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15+ Dhs. 10.96 Dhs. 164.40
25+ Dhs. 10.72 Dhs. 268.00
50+ Dhs. 10.12 Dhs. 506.00
100+ Dhs. 8.93 Dhs. 893.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SSTL_2
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

L' IS43R86400F-5TL-TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbits hautes performances fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce composant de mémoire volatile haut de gamme présente une organisation 64M x 8 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz avec une interface SSTL_2, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de mémoire de 512 Mbits avec une organisation de 64 Mbits x 8 pour une intégration système flexible
  • Fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps pour un traitement rapide des données
  • Norme d'interface SSTL_2 garantissant l'intégrité du signal
  • Large plage de tension de fonctionnement (2,3 V ~ 2,7 V) pour une efficacité énergétique optimale
  • Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) pour des performances robustes
  • Boîtier CMS 66-TSOP II pour une conception de PCB compacte
  • Conforme à la directive RoHS pour une responsabilité environnementale

Cette mémoire DDR SDRAM est conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes. Que vous développiez des systèmes automobiles de nouvelle génération, des équipements de contrôle industriel ou des infrastructures de télécommunications, l'IS43R86400F-5TL-TR offre la vitesse et la fiabilité nécessaires à vos projets.

Spécifications techniques

Applications : Systèmes embarqués, équipements de réseau, automatisation industrielle, électronique automobile, dispositifs médicaux, infrastructure de télécommunications et autres applications à haute fiabilité nécessitant des performances de mémoire rapides et fiables.

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