ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.73 | Dhs. 11.73 |
| 15+ | Dhs. 11.33 | Dhs. 169.95 |
| 25+ | Dhs. 11.09 | Dhs. 277.25 |
| 50+ | Dhs. 10.47 | Dhs. 523.50 |
| 100+ | Dhs. 9.24 | Dhs. 924.00 |
| N+ | Dhs. 1.85 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | En vrac | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_2 |
| Fréquence d'horloge | 167 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |
IS43R86400F-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le IS43R86400F-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haute fiabilité conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications temps réel exigeantes.
- Architecture mémoire optimisée : l’organisation 64 Mo x 8 offre une intégration flexible pour les systèmes embarqués et les conceptions de contrôleurs.
- Interface standard de l'industrie : l'interface SSTL_2 assure une compatibilité parfaite avec les contrôleurs de mémoire DDR.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour :
- Informatique embarquée et contrôleurs industriels
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- Équipements de télécommunications et infrastructure réseau
- Dispositifs médicaux nécessitant une mémoire de haute fiabilité
- applications aérospatiales et de défense
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Distributeur agréé des semi-conducteurs ISSI, HQICKEY garantit l'authenticité de ses composants et leur traçabilité complète. Nous sommes spécialisés dans les solutions de mémoire haute fiabilité pour les applications critiques, avec assistance technique et livraison rapide à l'international.
Produits et ressources connexes
- Explorez notre collection complète de circuits intégrés de mémoire : découvrez nos solutions DDR SDRAM, Flash, EEPROM et SRAM.
- Visitez la page d'accueil de HQICKEY - Découvrez notre gamme complète de semi-conducteurs haute fiabilité
- Consultez notre blog technique : restez informé(e) des tendances en matière de technologies de mémoire et des notes d’application.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'ingénieurs pour obtenir des fiches techniques, des schémas de référence et des solutions personnalisées adaptées à vos besoins.

IS43R86400F-6TL.pdf