ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.83 | Dhs. 10.83 |
| 15+ | Dhs. 10.48 | Dhs. 157.20 |
| 25+ | Dhs. 10.25 | Dhs. 256.25 |
| 50+ | Dhs. 9.68 | Dhs. 484.00 |
| 100+ | Dhs. 8.54 | Dhs. 854.00 |
| N+ | Dhs. 1.71 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_2 |
| Fréquence d'horloge | 167 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Le module de mémoire SDRAM DDR IS43R86400F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances robustes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications temps réel exigeantes.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 8 assure une gestion efficace des données et une utilisation optimale de la bande passante.
- Interface standard de l'industrie : l'interface SSTL_2 (Stub Series Terminated Logic) assure la compatibilité avec les contrôleurs de mémoire DDR standard.
- Fonctionnement fiable : plage de tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II (66-TSSOP, largeur 0,400") optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Cycles d'écriture rapides : un temps de cycle d'écriture de 15 ns permet des opérations de stockage de données efficaces.
- Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR facilite les processus d'assemblage automatisés pour la fabrication en grande série.
Spécifications techniques :
Applications :
Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI est spécialisée dans les solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, conçues pour répondre aux normes de qualité les plus strictes des applications critiques. La mémoire IS43R86400F-6TL-TR associe une technologie DDR éprouvée à des spécifications industrielles pour offrir des performances fiables même dans des environnements d'exploitation exigeants.
Produits et ressources associés :
- Explorez notre collection complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To) pour découvrir d’autres options de mémoire.
- Visitez HQICKEY pour découvrir notre gamme complète de semi-conducteurs haute fiabilité.
- Consultez nos dernières analyses dans la rubrique Actualités et Ressources techniques pour obtenir des mises à jour sur le secteur et des guides d'application.
Conformité : Conforme à la directive RoHS
Pour toute assistance technique, fiches techniques ou demande de prix pour les commandes en gros, veuillez contacter nos spécialistes en semi-conducteurs.
IS43R86400F-6TL-TR.pdf