ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280C-125JBLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.63 | Dhs. 12.63 |
| 15+ | Dhs. 12.24 | Dhs. 183.60 |
| 25+ | Dhs. 11.97 | Dhs. 299.25 |
| 50+ | Dhs. 11.31 | Dhs. 565.50 |
| 100+ | Dhs. 9.98 | Dhs. 998.00 |
| N+ | Dhs. 2.00 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | En vrac | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 800 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-TWBGA (8x10,5) |
| RoHS |
IS43TR81280C-125JBLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
Le circuit intégré IS43TR81280C-125JBLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution de mémoire volatile haute vitesse offre une fréquence d'horloge de 800 MHz et une organisation mémoire de 128 Mo x 8, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 800 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Efficacité énergétique optimisée : tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Architecture mémoire flexible : une capacité de 1 Gbit avec une organisation de 128 Mo x 8 offre des options de stockage de données polyvalentes.
- Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure une intégration transparente avec les systèmes existants.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 78-TFBGA (78-TWBGA 8x10,5) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Composants authentiques : provenant directement de distributeurs ISSI agréés, avec une traçabilité complète et une garantie de qualité.
Applications idéales
Cette mémoire DDR3 SDRAM est spécialement conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes avioniques aérospatiaux, les calculateurs et systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les stations de base de télécommunications et les systèmes embarqués haute fiabilité nécessitant des performances constantes dans des conditions extrêmes.
Spécifications techniques
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