Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 11.46
Prix habituel Dhs. 12.06 Prix promotionnel Dhs. 11.46
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.46 Dhs. 11.46
15+ Dhs. 11.10 Dhs. 166.50
25+ Dhs. 10.85 Dhs. 271.25
50+ Dhs. 10.25 Dhs. 512.50
100+ Dhs. 9.05 Dhs. 905.00
N+ Dhs. 1.81 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-TWBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43TR81280C-125JBLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute fiabilité IS43TR81280C-125JBLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 800 MHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 800 MHz et un temps d’accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Capacité de mémoire robuste : l'organisation de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 95 °C (TC), adaptée aux environnements industriels et automobiles.
  • Boîtier compact 78-TFBGA : Conception TWBGA 8 x 10,5 mm peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
  • Interface parallèle : L'interface SDRAM DDR3 standard assure une large compatibilité

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR3 SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées hautes performances

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice hautes performances, offrant une fiabilité éprouvée pour les applications critiques. La mémoire IS43TR81280C-125JBLI-TR associe la technologie DDR3 de pointe à une qualité industrielle, garantissant un fonctionnement optimal de vos systèmes même dans les environnements les plus exigeants.

Produits et ressources connexes

Explorez notre vaste sélection de semi-conducteurs de mémoire pour tous vos besoins de stockage. Visitez notre page d'accueil pour découvrir notre gamme complète de composants haute fiabilité. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits sur notre blog d'actualités .

No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.