ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.18 | Dhs. 12.18 |
| 15+ | Dhs. 11.79 | Dhs. 176.85 |
| 25+ | Dhs. 11.53 | Dhs. 288.25 |
| 50+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 544.50 |
| 100+ | Dhs. 9.61 | Dhs. 961.00 |
| N+ | Dhs. 1.92 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-TWBGA (8x10,5) |
| RoHS |
IS43TR81280CL-107MBL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L de qualité automobile
La puce IS43TR81280CL-107MBL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR3L haute fiabilité, qualifiée pour l'automobile et conçue pour les applications critiques des systèmes automobiles, industriels et embarqués. Ce dispositif mémoire de 1 Gbit offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 933 MHz et sa très faible consommation d'énergie, ce qui la rend idéale pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), les plateformes d'infodivertissement et les systèmes de contrôle industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles avec une plage de températures étendue (0 °C à 95 °C).
- Haute performance : fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 20 ns pour un traitement rapide des données.
- Conception basse consommation : la technologie DDR3L, avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V, réduit la consommation d'énergie jusqu'à 15 % par rapport à la DDR3 standard.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128 Mo x 8 offre une intégration flexible pour diverses architectures système.
- Boîtier CMS : Boîtier compact 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint.
- Traçabilité complète : Le distributeur agréé garantit l'authenticité des composants et une documentation complète de la chaîne d'approvisionnement.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire de qualité automobile est conçu pour des applications exigeantes, notamment :
- Systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) et plateformes de conduite autonome
- Systèmes d'infodivertissement et de navigation automobiles
- Automatisation industrielle et contrôle des processus
- Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
- Infrastructures de télécommunications et stations de base
- Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
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