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Promotion Épuisé
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15+ Dhs. 11.79 Dhs. 176.85
25+ Dhs. 11.53 Dhs. 288.25
50+ Dhs. 10.89 Dhs. 544.50
100+ Dhs. 9.61 Dhs. 961.00
N+ Dhs. 1.92 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-TWBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43TR81280CL-107MBL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L de qualité automobile

La puce IS43TR81280CL-107MBL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR3L haute fiabilité, qualifiée pour l'automobile et conçue pour les applications critiques des systèmes automobiles, industriels et embarqués. Ce dispositif mémoire de 1 Gbit offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 933 MHz et sa très faible consommation d'énergie, ce qui la rend idéale pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), les plateformes d'infodivertissement et les systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles avec une plage de températures étendue (0 °C à 95 °C).
  • Haute performance : fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 20 ns pour un traitement rapide des données.
  • Conception basse consommation : la technologie DDR3L, avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V, réduit la consommation d'énergie jusqu'à 15 % par rapport à la DDR3 standard.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128 Mo x 8 offre une intégration flexible pour diverses architectures système.
  • Boîtier CMS : Boîtier compact 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint.
  • Traçabilité complète : Le distributeur agréé garantit l'authenticité des composants et une documentation complète de la chaîne d'approvisionnement.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire de qualité automobile est conçu pour des applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) et plateformes de conduite autonome
  • Systèmes d'infodivertissement et de navigation automobiles
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base
  • Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense

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