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15+ Dhs. 10.82 Dhs. 162.30
25+ Dhs. 10.58 Dhs. 264.50
50+ Dhs. 10.00 Dhs. 500.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-TWBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

La puce mémoire SDRAM DDR3L haute performance IS43TR81280CL-107MBL-TR , de qualité automobile, est fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce module mémoire de 1 Gbit dispose d'une architecture 128 Mbits x 8 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, industrielles et critiques exigeantes.

Conçue pour répondre aux normes automobiles les plus strictes, cette puce mémoire est certifiée AEC-Q100 et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de 0 °C à 95 °C. La technologie DDR3L basse tension (1,283 V ~ 1,45 V) garantit un fonctionnement écoénergétique tout en maintenant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns.

Ses principaux atouts incluent un boîtier CMS 78-TFBGA pour une conception de circuits imprimés compacte, une interface mémoire parallèle pour des transferts de données à haut débit et une conformité totale à la norme RoHS pour la protection de l'environnement. Cette solution DRAM volatile est idéale pour les systèmes d'infodivertissement automobiles, les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), les systèmes de contrôle industriels et autres applications exigeant des composants de mémoire haute fiabilité.

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