ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-125KBL

IS43TR82560C-125KBL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le circuit intégré IS43TR82560C-125KBL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce dispositif de mémoire volatile dispose d'une architecture 256M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 800 MHz, garantissant des performances fiables sur une large plage de températures, de 0 °C à 95 °C (TC).

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 800 MHz avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantit un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), ce qui le rend adapté aux secteurs de l’aérospatiale, de l’automobile, des télécommunications et des systèmes de contrôle industriels.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement 78-TFBGA (78-TWBGA 8 x 10,5 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb et à la conformité réglementaire internationale.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les architectures système existantes.
• Assistance tout au long du cycle de vie : ISSI assure une disponibilité et une traçabilité étendues des produits pour les applications critiques.

Applications typiques

Cette mémoire DDR3 SDRAM est idéale pour l'informatique embarquée, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, les systèmes d'infodivertissement automobiles, l'automatisation industrielle et les infrastructures de télécommunications où une mémoire fiable et rapide est essentielle.

Spécifications techniques complètes

• IS43TR82560C-125KBL.pdf