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25+ Dhs. 10.31 Dhs. 257.75
50+ Dhs. 9.74 Dhs. 487.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-TWBGA (8x10,5)

L' IS43TR82560D-125KBL est une solution de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haute performance d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 800 MHz et un temps de cycle d’écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 pour une intégration système flexible
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements exigeants.
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle avec technologie DDR3 SDRAM
  • Boîtier compact pour montage en surface : 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) pour des circuits imprimés compacts.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V pour les systèmes à faible consommation d’énergie

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire DDR3 SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile nécessitant des performances de mémoire fiables et à haute vitesse.

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