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25+ Dhs. 14.09 Dhs. 352.25
50+ Dhs. 13.31 Dhs. 665.50
100+ Dhs. 11.75 Dhs. 1,175.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-MiniBGA (6,4 x 10,1)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

ISSI IS45S16100C1-7BLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 16 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS45S16100C1-7BLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 16 Mbits conçue pour les applications exigeant un accès mémoire rapide et fiable. Grâce à son organisation 1M x 16 et sa fréquence d'horloge de 143 MHz, cette SDRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 16 Mbit - Organisation 1M x 16 pour une gestion flexible des données
  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,5 ns.
  • Large plage de fonctionnement - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
  • Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Boîtier compact - Conception à montage en surface 60-TFBGA (60-MiniBGA 6,4 x 10,1 mm)
  • Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau et toute application nécessitant une mémoire volatile haute fiabilité avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes :