ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA1-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.35 | Dhs. 8.35 |
| 15+ | Dhs. 8.10 | Dhs. 121.50 |
| 25+ | Dhs. 7.92 | Dhs. 198.00 |
| 50+ | Dhs. 7.48 | Dhs. 374.00 |
| 100+ | Dhs. 6.60 | Dhs. 660.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (6,4 x 10,1) |
| RoHS |  |
IS45S16100H-7BLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
Le IS45S16100H-7BLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) de 16 Mbits de qualité supérieure, conçu pour les applications électroniques embarquées et industrielles nécessitant des performances de mémoire volatile fiables et rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : l’organisation 1M x 16 offre un adressage mémoire flexible pour diverses architectures système.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
- Conception compacte : le boîtier CMS 60-TFBGA (6,4 x 10,1 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce composant SDRAM excelle dans les contrôleurs industriels, les systèmes informatiques embarqués, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les systèmes d'acquisition de données où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.
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Spécifications techniques
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