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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 14.38 Dhs. 14.38
15+ Dhs. 13.92 Dhs. 208.80
25+ Dhs. 13.62 Dhs. 340.50
50+ Dhs. 12.86 Dhs. 643.00
100+ Dhs. 11.35 Dhs. 1,135.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS45S16160J-6TLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS45S16160J-6TLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire SDRAM à montage en surface dispose d'une organisation mémoire 16M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, garantissant des performances rapides et fiables pour les systèmes embarqués nécessitant un support technique à long terme.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire SDRAM de 256 Mbits avec interface parallèle pour une intégration transparente
  • Fréquence de fonctionnement de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns pour une récupération rapide des données
  • Large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Conforme à la directive RoHS avec une traçabilité complète pour la conformité réglementaire
  • Boîtier CMS 54-TSOP II pour des circuits imprimés compacts
  • Tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement à faible consommation.

Applications : Systèmes embarqués, contrôleurs industriels, électronique automobile, dispositifs médicaux, équipements de télécommunications et avionique aérospatiale nécessitant des solutions de mémoire stables et à long terme.

Spécifications techniques complètes :