ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA1-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.70 | Dhs. 12.70 |
| 15+ | Dhs. 12.30 | Dhs. 184.50 |
| 25+ | Dhs. 12.03 | Dhs. 300.75 |
| 50+ | Dhs. 11.36 | Dhs. 568.00 |
| 100+ | Dhs. 10.03 | Dhs. 1,003.00 |
| N+ | Dhs. 2.01 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS45S16160J-7BLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 256 Mbit haute fiabilité
La mémoire IS45S16160J-7BLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant des solutions de mémoire rapides et fiables. Cette SDRAM de qualité industrielle fonctionne à 143 MHz avec une organisation mémoire de 16 Mbits x 16, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 54-TFBGA (8x8) optimise l’espace sur la carte.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Interface parallèle : interface SDRAM standard pour une intégration facile
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures réseau et les systèmes de télécommunications, où la fiabilité et les performances sont primordiales.
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Ressources connexes
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IS45S16160J-7BLA1-TR.pdf