Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 15.10
Prix habituel Dhs. 15.88 Prix promotionnel Dhs. 15.10
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 15.10 Dhs. 15.10
15+ Dhs. 14.61 Dhs. 219.15
25+ Dhs. 14.29 Dhs. 357.25
50+ Dhs. 13.50 Dhs. 675.00
100+ Dhs. 11.91 Dhs. 1,191.00
N+ Dhs. 2.38 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Circuit intégré de mémoire SDRAM 256 Mbit ISSI IS45S16160J-7CTLA1-TR

La mémoire DRAM synchrone IS45S16160J-7CTLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et de l'électronique grand public. Grâce à son architecture 16M x 16 et sa fréquence d'horloge de 143 MHz, cette SDRAM offre un accès mémoire parallèle rapide et fiable pour les systèmes embarqués nécessitant un support à long terme et une traçabilité éprouvée.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 256 Mbits : l'organisation 16M x 16 offre une mémoire suffisante pour les applications gourmandes en données.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide.
  • Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface SDRAM parallèle simplifie l'intégration dans les conceptions existantes
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM est conçue pour les équipementiers et les fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS) desservant les secteurs de l'aérospatiale, des systèmes de contrôle automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications, où la fiabilité, la disponibilité prolongée du cycle de vie et la traçabilité complète des composants sont essentielles à la mission.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY ? Nous sommes spécialisés dans la distribution de semi-conducteurs haut de gamme, avec une traçabilité complète, des engagements sur le long terme et une livraison internationale conforme aux normes RoHS/REACH. Chaque composant est accompagné de sa documentation fabricant et bénéficie d’une assurance qualité.