ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA1-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.85 | Dhs. 12.85 |
| 15+ | Dhs. 12.44 | Dhs. 186.60 |
| 25+ | Dhs. 12.17 | Dhs. 304.25 |
| 50+ | Dhs. 11.49 | Dhs. 574.50 |
| 100+ | Dhs. 10.14 | Dhs. 1,014.00 |
| N+ | Dhs. 2.03 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |  |
Présentation du produit
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbits hautes performances IS46DR16320E-25DBLA1-TR, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), est une solution de mémoire volatile dotée d'une architecture 32M x 16 avec interface parallèle. Il offre des performances fiables pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 400 MHz et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Conformité sectorielle : Conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale
- Gestion efficace de l'alimentation : fonctionne avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V
- Cycles d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de 15 ns pour un stockage de données efficace
Applications
Cette mémoire DDR2 SDRAM est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes embarqués, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications, où des performances et une durabilité constantes sont essentielles.
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