ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.56 | Dhs. 13.56 |
| 15+ | Dhs. 13.13 | Dhs. 196.95 |
| 25+ | Dhs. 12.84 | Dhs. 321.00 |
| 50+ | Dhs. 12.13 | Dhs. 606.50 |
| 100+ | Dhs. 10.70 | Dhs. 1,070.00 |
| N+ | Dhs. 2.14 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |
Circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM ISSI IS46DR16320E-3DBLA1-TR
La mémoire IS46DR16320E-3DBLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution mémoire SDRAM DDR2 haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances fiables sur une large plage de températures et est entièrement conforme à la directive RoHS.
Caractéristiques principales
- Mémoire haute densité : capacité de 512 Mbits avec une organisation de 32 M x 16
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 333 MHz avec un temps d’accès de 450 ps
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
- Boîtier compact : conception à montage en surface 84-TFBGA (8 x 12,5 mm)
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V
- Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec un fonctionnement à température étendue.
Spécifications techniques complètes
Conformité : Conforme à la directive RoHS en matière de sécurité environnementale et de réglementation.
Documentation : Fiches techniques complètes, schémas de référence et assistance technique disponibles pour faciliter l'intégration.
Ressources connexes
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IS46DR16320E-3DBLA1-TR.pdf