ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.94 | Dhs. 13.94 |
| 15+ | Dhs. 13.51 | Dhs. 202.65 |
| 25+ | Dhs. 13.21 | Dhs. 330.25 |
| 50+ | Dhs. 12.48 | Dhs. 624.00 |
| 100+ | Dhs. 11.01 | Dhs. 1,101.00 |
| N+ | Dhs. 2.20 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS46R16160F-6TLA1 - Composant de mémoire SDRAM DDR haute performance
La mémoire IS46R16160F-6TLA1 d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif de mémoire DDR SDRAM de 256 Mbits haute fiabilité, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 16 Mbits x 16 et d'une fréquence d'horloge de 166 MHz, cette mémoire offre des performances robustes sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Cette solution de mémoire de qualité industrielle offre une fiabilité exceptionnelle, une conformité RoHS et une traçabilité complète de la chaîne d'approvisionnement, ce qui la rend idéale pour l'aérospatiale, les équipements médicaux et les systèmes critiques nécessitant une disponibilité sur un long cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 700 ps
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 16 M x 16 optimisée pour les applications de bus de données 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : boîtier 66-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Applications
Ce composant DDR SDRAM est conçu pour les applications exigeant une fiabilité élevée et une longue durée de vie, notamment l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et l'infrastructure des télécommunications.
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