ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA1-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.81 | Dhs. 12.81 |
| 15+ | Dhs. 12.41 | Dhs. 186.15 |
| 25+ | Dhs. 12.14 | Dhs. 303.50 |
| 50+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 573.50 |
| 100+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 1,012.00 |
| N+ | Dhs. 2.02 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS46R16160F-6TLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré IS46R16160F-6TLA1-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et des télécommunications. Cette puce DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
- Performances rapides : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent une récupération rapide des données.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique.
- Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II permet un gain de place précieux sur la carte.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est conçu pour les applications critiques, notamment :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Équipements aérospatiaux et de défense
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Systèmes embarqués à haute fiabilité
Qualité et conformité
Le produit IS46R16160F-6TLA1-TR est conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et la conformité réglementaire pour les marchés internationaux. Il est conditionné en bobines et bandes pour une utilisation optimale dans les processus d'assemblage automatisés.
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