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Présentation du produit

La mémoire SRAM IS61C1024AL-12JLI-TR est un dispositif de mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications de mise en mémoire tampon de données nécessitant un accès mémoire rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

Performances ultra-rapides : avec un temps d’accès de 12 ns et un cycle d’écriture de 12 ns, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les applications critiques en termes de temps dans l’automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les systèmes informatiques embarqués.

Large plage de tension de fonctionnement : La plage de tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes logiques standard de 5 V tout en offrant une flexibilité pour diverses configurations d’alimentation.

Qualité de température industrielle : Conçue pour fonctionner de -40 °C à 85 °C, cette puce mémoire est destinée aux environnements industriels difficiles, aux applications automobiles et aux équipements extérieurs où les températures extrêmes sont fréquentes.

Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle assure une intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs, éliminant ainsi la complexité des protocoles série.

Boîtier de montage en surface : Le boîtier de montage en surface 32-BSOJ (32-SOJ) offre une disposition de circuit imprimé efficace et une compatibilité d'assemblage automatisé pour la fabrication en grande série.

Résumé des spécifications techniques

  • Capacité mémoire : 1 mégabit (organisation 128K x 8)
  • Temps d'accès : 12 nanosecondes
  • Technologie : SRAM asynchrone (RAM statique)
  • Tension d'alimentation : 4,5 V à 5,5 V
  • Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C (qualité industrielle)
  • Type de boîtier : BSOJ 32 broches (connecteur J à petit encombrement)
  • Montage : Technologie de montage en surface (CMS)
  • Type de mémoire : volatile

Applications

Cette mémoire SRAM est couramment utilisée dans :

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Processeurs embarqués et systèmes à microcontrôleur
  • Routeurs et commutateurs réseau
  • systèmes d'acquisition de données
  • électronique automobile
  • Instrumentation médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • mémoire cache et mise en mémoire tampon des données

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans les composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Chaque unité IS61C1024AL-12JLI-TR provient directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi la qualité ISSI authentique, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur.

Authenticité garantie : Nous ne fournissons que des composants ISSI authentiques avec une provenance vérifiable.

Assistance technique : Notre équipe d'ingénieurs offre une assistance technique dédiée pour les questions d'intégration et d'application.

Disponibilité à long terme : Nous maintenons un stock de circuits intégrés de mémoire anciens et de génération actuelle afin de garantir des cycles de vie produits longs.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY