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IS61C1024AL-12TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit

La mémoire SRAM IS61C1024AL-12TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit, organisée en 128 Ko x 8 bits. Cette SRAM asynchrone offre un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et des opérations mémoire à faible latence.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 12 ns pour les applications temps réel exigeantes
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : interface parallèle asynchrone simple pour une intégration facile
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface TSOP I à 32 broches (largeur de 18,40 mm)
  • Conforme à la norme RoHS : Construction écologique sans plomb

Applications

Ce SRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués et mémoire cache des microcontrôleurs
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements de réseau et routeurs
  • Mise en mémoire tampon des données et stockage temporaire
  • mémoire de configuration FPGA

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, avec un support complet tout au long de leur cycle de vie. Nos unités IS61C1024AL-12TLI-TR proviennent directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi l'authenticité des produits ISSI, leur traçabilité complète et leur couverture de garantie.

Produits et ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY