ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10TLI

IS61C25616AL-10TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IS61C25616AL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 4 mégabits conçue pour les applications critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Plage de fonctionnement robuste : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C de qualité industrielle pour les environnements difficiles
• Alimentation flexible : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes 5 V standard.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
• Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés à espace restreint.
• Authentique et traçable : Distributeur agréé garantissant des composants authentiques avec une traçabilité complète du fabricant.

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle.

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