ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10TLI-TR

IS61C25616AL-10TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IS61C25616AL-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide : une vitesse d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une intégration flexible de l’interface parallèle
• Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Conditionnement standard : boîtier CMS 44-TSOP II pour une intégration efficace sur circuit imprimé
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité système polyvalente
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un stockage de données rapide et fiable
• Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Systèmes embarqués hautes performances et acquisition de données

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