ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI

IS61C3216AL-12TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

Le circuit intégré IS61C3216AL-12TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) asynchrone haute performance de 512 kbits conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre une organisation mémoire de 32 K x 16 avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant un accès rapide aux données et un stockage de mémoire volatile fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués.
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec divers systèmes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Boîtier CMS : boîtier TSOP II 44 broches pour une implantation efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
• Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de réseau, aux systèmes de télécommunications, aux dispositifs médicaux et aux applications informatiques de périphérie IoT où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.

Spécifications techniques détaillées

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