ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI-TR

Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance IS61C3216AL-12TLI-TR

L' IS61C3216AL-12TLI-TR est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce composant mémoire de qualité industrielle offre un accès aux données fiable et rapide avec un temps d'accès de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant des solutions de mémoire non volatile.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation de la mémoire flexible : la configuration 32K x 16 offre une architecture de stockage de données polyvalente
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec divers systèmes.
• Plage de températures industrielles : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration simple
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté pour :

• Applications des systèmes embarqués et des microcontrôleurs
• équipements de contrôle et d'automatisation industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs de réseau et de télécommunications
• Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
• Solutions de mise en mémoire tampon et de mémoire cache des données

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