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IS61C5128AL-10TLI Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS61C5128AL-10TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 512 Ko x 8 offre une gestion flexible des données
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Large plage de tension : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Conception compacte : Boîtier 44-TSOP II à montage en surface (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Technologie asynchrone : exigences de synchronisation simplifiées pour une conception système plus aisée

Applications idéales

Cette mémoire SRAM volatile est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon à haute vitesse, à la mémoire cache, aux systèmes d'enregistrement de données, aux contrôleurs embarqués, aux équipements de réseau et à l'automatisation industrielle où un stockage de données temporaire rapide et fiable est essentiel.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de solutions semi-conducteurs haut de gamme pour les applications les plus exigeantes. Notre vaste gamme de composants comprend des mémoires haute fiabilité, un support technique expert et une livraison rapide et fiable dans le monde entier.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY