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Mémoire SRAM haute performance IS61C5128AS-25QLI-TR

La puce mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité IS61C5128AS-25QLI-TR, fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), est conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Elle offre des performances et une fiabilité exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Organisation de la mémoire flexible : la configuration 512 Ko x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Compatibilité étendue avec les tensions d'alimentation : fonctionne avec une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une grande flexibilité d'intégration au système.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier SOIC 32 broches (largeur de 11,3 mm) permet une intégration efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé.
  • Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes

Spécifications techniques

Applications

Cette puce mémoire SRAM est idéale pour les applications exigeantes nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de réseau, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale et les systèmes avioniques aérospatiaux.

Qualité et conformité

La norme IS61C5128AS-25QLI-TR répond aux normes de conformité RoHS, garantissant la responsabilité environnementale et le respect des réglementations pour un déploiement mondial.

Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY