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IS61C5128AS-25TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La puce mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité IS61C5128AS-25TLI-TR de 4 Mbits est fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette solution de mémoire volatile présente une architecture 512 Ko x 8 avec interface parallèle, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications exigeant un stockage de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) pour des performances fiables dans des environnements industriels difficiles.
  • Fonctionnement sous tension standard : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration facile dans les systèmes existants
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 32-TSOP II optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Stockage haute densité : une capacité de 4 Mbits dans une configuration 512 K x 8 offre une architecture mémoire flexible

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est conçue pour les applications exigeantes dans de nombreux secteurs d'activité :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant des solutions de mémoire résistantes aux radiations
  • Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et de mémoire cache

Qualité et conformité

Le produit IS61C5128AS-25TLI-TR répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et la conformité réglementaire sur les marchés internationaux. Son conditionnement en bande et bobine facilite les processus d'assemblage automatisés pour la production en grande série.

Produits et ressources connexes

Explorez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant SRAM, DRAM, mémoire flash et composants semi-conducteurs spécialisés. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre offre complète de produits semi-conducteurs haute fiabilité pour applications critiques. Restez informé(e) des dernières tendances du secteur et des nouveaux produits en visitant notre blog .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY