ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12KLI

IS61C6416AL-12KLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM IS61C6416AL-12KLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit haute vitesse et basse consommation, organisée en 64 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : l’architecture 64 Ko x 16 offre une largeur de mot optimale pour les microprocesseurs et les DSP 16 bits.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de s’adapter à différentes configurations de systèmes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les conceptions existantes.
• Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est parfaitement adapté pour :

• mémoire cache et tampons de données des systèmes embarqués
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Équipements de réseau et de télécommunications
• Dispositifs médicaux et d'instrumentation
• Électronique automobile nécessitant un fonctionnement à température prolongée
• Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

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Spécifications techniques

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