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IS61C6416AL-12KLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce IS61C6416AL-12KLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une architecture 64K x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Large plage de tension d'alimentation : tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec la logique TTL/CMOS standard.
  • Boîtier CMS : 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé
  • Prêt pour la production : Emballage en bande et bobine pour la fabrication en grande série

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée pour :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Infrastructure de télécommunications et de réseaux
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • applications aérospatiales et de défense
  • Acquisition et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
  • mémoire cache du système embarqué

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY , nous garantissons l'authenticité à 100 % de nos composants ISSI, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité IS61C6416AL-12KLI-TR provient directement de circuits de distribution agréés et est accompagnée de la garantie constructeur et de la documentation de conformité.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire, incluant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité allant de 64 bits à 6 To. Nos solutions de mémoire prennent en charge les interfaces I2C, SPI et parallèles pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.

Pour découvrir les dernières tendances du secteur, des articles techniques et des annonces de produits, visitez notre blog Actualités et Techniques qui propose des analyses d'experts sur les technologies de mémoire, des notes d'application et les meilleures pratiques de conception.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY