ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12TI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.68 | Dhs. 7.68 |
| 15+ | Dhs. 7.44 | Dhs. 111.60 |
| 25+ | Dhs. 7.28 | Dhs. 182.00 |
| 50+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 344.00 |
| 100+ | Dhs. 6.07 | Dhs. 607.00 |
| N+ | Dhs. 1.21 | Price Inquiry |
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IS61C6416AL-12TI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
Le IS61C6416AL-12TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire RAM statique asynchrone (SRAM) de 1 mégabit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications à haute fiabilité nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec des capacités d'interface parallèle.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : un temps d'accès de 12 ns et un temps de cycle d'écriture de 12 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot pour les processeurs embarqués et les microcontrôleurs.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, le contrôle industriel et les équipements d'extérieur.
- Interface parallèle standard : intégration facile avec les systèmes anciens et modernes grâce à une architecture de bus parallèle conventionnelle
- Boîtier CMS : TSOP II 44 broches (10,16 mm de largeur) permettant des circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
- Large plage de tension : la compatibilité avec une tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V garantit des options de conception d’alimentation flexibles.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications typiques
Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide, une mémoire cache pour microprocesseurs, des équipements d'acquisition de données, des contrôleurs d'automatisation industrielle, une infrastructure de télécommunications, des dispositifs médicaux et une électronique aérospatiale/de défense où la fiabilité et la vitesse sont primordiales.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS61C6416AL-12TI-TR.pdf