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IS61C6416AL-12TI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le IS61C6416AL-12TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire RAM statique asynchrone (SRAM) de 1 mégabit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications à haute fiabilité nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec des capacités d'interface parallèle.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès de 12 ns et un temps de cycle d'écriture de 12 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot pour les processeurs embarqués et les microcontrôleurs.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, le contrôle industriel et les équipements d'extérieur.
  • Interface parallèle standard : intégration facile avec les systèmes anciens et modernes grâce à une architecture de bus parallèle conventionnelle
  • Boîtier CMS : TSOP II 44 broches (10,16 mm de largeur) permettant des circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Large plage de tension : la compatibilité avec une tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V garantit des options de conception d’alimentation flexibles.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications typiques

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide, une mémoire cache pour microprocesseurs, des équipements d'acquisition de données, des contrôleurs d'automatisation industrielle, une infrastructure de télécommunications, des dispositifs médicaux et une électronique aérospatiale/de défense où la fiabilité et la vitesse sont primordiales.

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Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY