ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.11 | Dhs. 6.11 |
| 15+ | Dhs. 5.92 | Dhs. 88.80 |
| 25+ | Dhs. 5.80 | Dhs. 145.00 |
| 50+ | Dhs. 5.47 | Dhs. 273.50 |
| 100+ | Dhs. 4.83 | Dhs. 483.00 |
| N+ | Dhs. 0.97 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
IS61C6416AL-12TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La puce IS61C6416AL-12TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit, organisée en 64K x 16, offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns . Conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes, cette mémoire fonctionne de manière fiable sur une large plage de tensions (4,5 V à 5,5 V) et une plage de températures industrielles étendue (-40 °C à 85 °C). Son interface parallèle et son boîtier CMS 44-TSOP II la rendent idéale pour les conceptions à espace restreint nécessitant une mémoire tampon volatile rapide. Conforme à la directive RoHS et conditionnée en bande et bobine, cette solution SRAM garantit à la fois le respect de l'environnement et l'efficacité de la production en grande série.
Principales caractéristiques et avantages :
- ⚡ Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns pour le traitement des données en temps réel
- 💾 Capacité de 1 Mbit (organisation 64K x 16) pour un stockage de données flexible
- 🌡️ Plage de températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- 🔌 Large plage de tension d'alimentation (4,5 V ~ 5,5 V) pour une compatibilité système optimale
- 📦 Boîtier compact 44-TSOP II pour montage en surface, optimisant l'espace sur le circuit imprimé
- ✅ Conforme à la directive RoHS pour le respect des normes environnementales
- 🏭 Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Spécifications techniques complètes
Ressources et catégories de produits connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions pour semi-conducteurs :
- 🔗 Solutions de mémoire - Découvrez notre sélection complète de circuits intégrés EEPROM, Flash, DRAM, SRAM et autres mémoires.
- 🔗 HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme - Votre fournisseur de confiance de composants électroniques authentiques et de haute qualité, avec assistance tout au long de leur cycle de vie
- 🔗 Dernières actualités et ressources techniques du secteur - Restez informé grâce à des articles techniques, des notes d'application et des analyses du secteur des semi-conducteurs.
Besoin d'aide concernant les spécifications, la disponibilité ou le support technique ? Contactez notre équipe d'ingénieurs pour bénéficier de conseils d'experts sur la sélection et l'intégration des circuits intégrés de mémoire.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS61C6416AL-12TLI-TR.pdf