ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BI-TR

IS61LV12816L-10BI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS61LV12816L-10BI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile présente une organisation de 128 Ko x 16 avec interface parallèle et offre un temps d'accès exceptionnel de 10 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
• Large plage de températures de fonctionnement : Classe de température industrielle de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
• Alimentation fiable : plage de tension de fonctionnement de 3,135 V à 3,6 V
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
• Prêt pour la production : Disponible en conditionnement bande et bobine (TR) pour l’assemblage automatisé

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support de cycle de vie long et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous sommes un distributeur agréé fournissant des composants ISSI authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, emballage d’origine et assistance technique tout au long du cycle de vie. Tous nos produits sont conformes aux normes RoHS et REACH.