ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI-TR

IS61LV12816L-10LQI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM IS61LV12816L-10LQI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 2 mégabits, haute vitesse et basse consommation, organisée en 128 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et un stockage mémoire fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de températures de fonctionnement : Qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions à faible consommation d’énergie
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
• Boîtier CMS (composants montés en surface) : format compact 44-LQFP (10 x 10 mm) pour les conceptions à espace restreint.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications cibles

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des dispositifs médicaux et de l'électronique grand public qui nécessitent une mémoire fiable et rapide, un support à long terme et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont garanties par le fabricant. Fiches techniques complètes et documentation de conformité disponibles sur demande.