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25+ Dhs. 14.23 Dhs. 355.75
50+ Dhs. 13.44 Dhs. 672.00
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IS61LV12816L-10TI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

Le circuit intégré IS61LV12816L-10TI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation parallèle de 128 000 x 16, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation mémoire flexible : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, température de fonctionnement industrielle pour environnements difficiles.
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé et les circuits imprimés à espace restreint
  • Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux

Applications typiques :

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Électronique automobile et systèmes ADAS
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Informatique embarquée à haute fiabilité

Spécifications techniques complètes :

Assurance qualité : En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants 100 % traçables, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de conformité et d’un support technique tout au long du cycle de vie. Tous nos produits proviennent directement d’ISSI et sont conformes aux réglementations RoHS/REACH.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY