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15+ Dhs. 344,650.82 Dhs. 5,169,762.30
25+ Dhs. 337,158.41 Dhs. 8,428,960.25
50+ Dhs. 318,427.39 Dhs. 15,921,369.50
100+ Dhs. 280,965.35 Dhs. 28,096,535.00
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IS61LV12816L-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

L' IS61LV12816L-10TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone de 2 Mbit à haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une disponibilité à long terme.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultrarapide de 10 ns – Permet un traitement des données à haute vitesse et des performances système en temps réel
  • Organisation de la mémoire 128K x 16 - Optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Fonctionnement à 3,3 V - Conception basse consommation avec une plage de tension d'alimentation de 3,135 V à 3,6 V
  • Large plage de températures - Fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Boîtier TSOP-44 pour montage en surface - Format TSOP II 44 broches compact pour les cartes électroniques compactes.
  • Conforme aux normes RoHS et REACH - Répond aux normes internationales environnementales et de sécurité
  • Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications typiques

Cette mémoire SRAM volatile est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, les systèmes aérospatiaux et toute application nécessitant une mémoire parallèle rapide et fiable avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé - Nous fournissons des composants ISSI authentiques et 100 % traçables, accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'un engagement sur tout le cycle de vie.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS