ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-8TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.31 | Dhs. 14.31 |
| 15+ | Dhs. 13.86 | Dhs. 207.90 |
| 25+ | Dhs. 13.55 | Dhs. 338.75 |
| 50+ | Dhs. 12.80 | Dhs. 640.00 |
| 100+ | Dhs. 11.30 | Dhs. 1,130.00 |
| N+ | Dhs. 2.26 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
IS61LV12816L-8TL-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 2 Mbit
La mémoire SRAM IS61LV12816L-8TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 8 nanosecondes et une organisation mémoire de 128 Ko x 16, cette SRAM asynchrone offre une vitesse et une efficacité exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Organisation flexible : l’interface parallèle 128K x 16 simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Boîtier CMS : le 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications, aux contrôleurs d'automatisation industrielle et à toute application nécessitant des performances similaires à celles des mémoires non volatiles, tout en bénéficiant des avantages de vitesse de la technologie de mémoire volatile.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir HQICKEY ? Nous assurons une distribution agréée avec une traçabilité complète, des fiches techniques complètes, une documentation de conformité RoHS/REACH et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour accompagner vos conceptions critiques, du prototype à la production.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8ns |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

IS61LV12816L-8TL-TR.pdf