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50+ Dhs. 12.80 Dhs. 640.00
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IS61LV12816L-8TL-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 2 Mbit

La mémoire SRAM IS61LV12816L-8TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 2 mégabits conçue pour les applications critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 8 nanosecondes et une organisation mémoire de 128 Ko x 16, cette SRAM asynchrone offre une vitesse et une efficacité exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
  • Organisation flexible : l’interface parallèle 128K x 16 simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
  • Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
  • Boîtier CMS : le 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications, aux contrôleurs d'automatisation industrielle et à toute application nécessitant des performances similaires à celles des mémoires non volatiles, tout en bénéficiant des avantages de vitesse de la technologie de mémoire volatile.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY ? Nous assurons une distribution agréée avec une traçabilité complète, des fiches techniques complètes, une documentation de conformité RoHS/REACH et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour accompagner vos conceptions critiques, du prototype à la production.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 8ns
Temps d'accès 8 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY