ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BI-TR

IS61LV25616AL-10BI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IS61LV25616AL-10BI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit, organisée en 256 Ko x 16 bits. Avec un temps d'accès rapide de 10 ns et une large plage de températures de fonctionnement, cette solution mémoire est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de télécommunications et industrielles exigeant une mémoire volatile fiable et performante.

Caractéristiques principales :

• Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 10 ns pour les applications temps réel exigeantes
• Organisation flexible : configuration d’interface parallèle 256 Ko x 16 bits
• Qualité industrielle : Plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA)
• Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V
• Boîtier compact : boîtier CMS 48-TFBGA (8 x 10 mm)
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
• Approvisionnement fiable : Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications :

• Systèmes embarqués et cache de microcontrôleur
• Équipements de réseau et de télécommunications
• Systèmes de contrôle industriels
• électronique automobile
• dispositifs médicaux
• Systèmes aérospatiaux et de défense

Pourquoi choisir cette SRAM ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Le contrôleur IS61LV25616AL-10BI-TR offre un équilibre optimal entre vitesse, capacité et fiabilité pour les applications critiques où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

Spécifications techniques :

• IS61LV25616AL-10BI-TR.pdf