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IS61LV25616AL-10BLI-TR : SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits

La mémoire SRAM asynchrone IS61LV25616AL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les systèmes embarqués.
  • Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 48-TFBGA (8 x 10 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampons des équipements de réseau, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux calculateurs automobiles, aux systèmes d'imagerie médicale, aux commutateurs de télécommunications et aux systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où un accès mémoire fiable et rapide est essentiel.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY