ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.69 | Dhs. 11.69 |
| 15+ | Dhs. 11.31 | Dhs. 169.65 |
| 25+ | Dhs. 11.06 | Dhs. 276.50 |
| 50+ | Dhs. 10.45 | Dhs. 522.50 |
| 100+ | Dhs. 9.22 | Dhs. 922.00 |
| N+ | Dhs. 1.84 | Price Inquiry |
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IS61LV25616AL-10BLI-TR : SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits
La mémoire SRAM asynchrone IS61LV25616AL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les systèmes embarqués.
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 48-TFBGA (8 x 10 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampons des équipements de réseau, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux calculateurs automobiles, aux systèmes d'imagerie médicale, aux commutateurs de télécommunications et aux systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où un accès mémoire fiable et rapide est essentiel.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (8x10) |
| RoHS |

IS61LV25616AL-10BLI-TR.pdf